硅微粉 中的碳元素主要來源：硅礦自帶的碳元素、一是金屬硅吹氧不充分，可能將一些碳元素帶入硅材料中，除硅中的碳元素另外，在多晶硅和單晶硅微粉材料中，由于通第采用石墨加熱件和
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因為治金 硅微粉 材料的雜質(zhì)較多，雜質(zhì)成分較復(fù)雜，其中不少雜質(zhì)會與氧發(fā)各種各樣的復(fù)合作用，因而可能會影響硅微粉材料的壽命。而用治金法的硅材料拉單晶的時候，因為硅棒的邊緣比中
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由于多晶 硅微粉 材料中的雜質(zhì)成分較復(fù)雜，其中不少雜質(zhì)會與氧發(fā)各種各樣的復(fù)合作用。比較為多人知道的是硼氧復(fù)合體，這目前被專家認(rèn)為是治金法多晶硅微粉材料電池衰減的主要原因。氧
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除了金屬雜質(zhì)外，還有非金屬雜質(zhì)。通常， 硅微粉 中剩余比較多的是氧、碳、氮。這些雜質(zhì)在硅微粉材料中的存在，對硅材料的性質(zhì)都有深刻的影響。先說氧，除了金屬硅中所帶來的以外，石
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而對于鐵，因為是過渡金屬，因此，完全看不到會有什么好的作用。有研充表明：鐵在 硅微粉 中。會與棚也產(chǎn)生類似的復(fù)合體的作用，造成少子壽命的減少，而且，研鐵的相對作用：會因光照
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如果 硅微粉 中有鋁存在，而且濃度在0. 1ppm 以上的時候，鋁會與硼一樣，對電阻率的下降做出責(zé)獻(xiàn)。假如。硅微粉中含有 0.3ppm 的硼，電阻率假如是0.5歐姆厘米，而同時又有 0.3ppm 的鋁，可能會
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硅微粉 的雜質(zhì)過多，除了會光致衰減外，還會造成漏電流的增加。在電池的PN結(jié)附近，有一個空間電荷區(qū)，這個電荷區(qū)的電流正常情況下，應(yīng)當(dāng)是光生電流，即受光照后，載流子躍遷產(chǎn)生的電
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金屬雜質(zhì)在 硅微粉 中會形成深能級，就是距離導(dǎo)帶和價帶都很遠(yuǎn)的能級，當(dāng)雜質(zhì)過多，導(dǎo)帶和價帶就會距離過遠(yuǎn)：硅微粉中金屬雜質(zhì)的情形與此相似，金屬雜質(zhì)會在硅中形成深能級，這些深能
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磷和硼在 硅微粉 里是比較突出的雜質(zhì)組成部分，比例恰當(dāng)可以充分發(fā)揮最大導(dǎo)電性，同時雜質(zhì)配比過多則會導(dǎo)致轉(zhuǎn)型現(xiàn)象，導(dǎo)致電阻率下降。將純硅微粉里摻硼的P型料，和純硅摻雜球的N型科
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對于物理法提純的 硅微粉 來說，除了磷和硼會同時存在外，還有鐵、鋁、鈣等金屬雜質(zhì)，即便是化學(xué)提純，也能通過加工的時候混入其他雜質(zhì)，也會出現(xiàn)復(fù)雜的情況。同時，對于一些采用電子
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物理法多晶 硅微粉 ，又稱UNG ，其金屬雜質(zhì)含量通常在幾個ppm以上，以原子濃度來說，都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其實，經(jīng)過調(diào)查，針對硅微粉的金屬雜質(zhì)的表現(xiàn)，目前還
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定向凝固可以完全消除金屬雜質(zhì)嗎？說到 硅微粉 中金屬雜質(zhì)的去除，許多從事過冶金法或物理法提純多晶硅的人都認(rèn)為，通過定向凝固就可以把金屬雜質(zhì)消除殆盡，但是，“殆盡”是“接近沒
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